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固态硬盘的闪存类型:SLC MLC T各指的是什么?哪

更新时间: 2019-09-09

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  2012-12-14展开全部除了主控芯片和缓存芯片以外,PCB板上其余的大部分位置都是NAND Flash闪存芯片了。NAND Flash闪存芯片又分为SLC(单层单元)和MLC(多层单元)NAND闪存:

  1.SLC全称是单层式储存 (Single Level Cell),因为结构简单,在写入数据时电压变化的区间小,所以寿命较长,传统的SLC NAND闪存可以经受10万次的读写。而且因为一组电压即可驱动,所以

  其速度表现更好,目前很多高端固态硬盘都是都采用该类型的Flash闪存芯片。

  2.MLC全称是多层式储存(Multi Leveled Cell),它采用较高的电压驱动,通过不同级别的电压在一个块中记录两组位信息,这样就可以将原本SLC的记录密度理论提升一倍。作为目前在固态硬盘中应用最为广泛的MLC NAND闪存,其最大的特点就是以更高的存储密度换取更低的存储成本,从而可以获得进入更多终端领域的契机。不过,MLC的缺点也很明显,其写入寿命较短,读写方面的能力也比SLC低,官方给出的可擦写次数仅为1万次。

  3.TLC即Triple-cell-per-bit,由于采用三层存储单元,因此可以以较低的成本实现更大的容量。具体来讲,SLC只有两个电平状态,MLC则为4个,TLC则多达8个,同容量下TLC的Die的尺寸比MLC小33%,因此价格也便宜了33%。当然良品率等因素也会对价格产生影响。

  由于TLC拥有多达8个电平状态,因此在电位控制上更加复杂,特别是写入速度会大受影响,188144现场报码。延迟增加。加之如此多的电平状态,电子一旦溢出变会非常容易导致出错,难以控制,这就是为什么需要更强ECC纠错能力的原因,否则TLC闪存的寿命将会不堪一击。

  展开全部分别是单层存储单元(没个单元只存储1bit的数据),多层(其实也就是双层)存储单元,三层存储单元。slc存储速度最快,可擦写次数最多,成本最高,三者依次递减追问那么为什么容量相同大小的SLC固态硬盘没有MLC固态硬盘的读写快呢


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